ZnSe晶體屬麵心立方結構，其光率體橢球為一個球體（tǐ），在光學上表現為各（gè）向同（tóng）性。它具有優異的物理與化學性質，可用於製造藍光半導體激光器、光探測器件、非線（xiàn）性（xìng）光學器件、波導調製器等；同時，作為優秀的紅外材料，透（tòu）過波長為O．5～22“m，特別在10．6肛m處有極好的透過率（lǜ），是紅外透鏡（jìng）、激光窗口、紅外熱像儀和高功率CO。激光器（qì）應用的首選材（cái）料。這些應用帶（dài）動（dòng）了znSe晶體加工技術的發展並對其加工提出愈來愈高的要求（qiú），作為紅外材料使用，在加工中要保證其表麵光潔度和良好的透過率。

znse透（tòu）鏡的基本參數和技術要求圖1為ZnSe晶體的（de）透（tòu）過率曲線。由1圖可知，znSe晶體具有極好的光學特性（xìng），能透過可見和（hé）紅外光，尤（yóu）其在紅外光譜區具有高而均勻的光（guāng）學透過率（lǜ）。表1給出了ZnSe晶體（tǐ）的折射（shè）率砣隨波（bō）長A的變化，ZnSe晶體的折射率（lǜ）溫度係數低，適用於製作多光譜應用中（zhōng）的光學元件。

圖1 ZnSe晶體的透過曲線

        表l ZnSe晶體折射率隨波長的變化

 晶體研磨對透鏡偏心及光潔度的影響

磨盤材料選用鑄鐵，采用數控車床加（jiā）工，很（hěn）好地控（kòng）製了其（qí）麵形精（jīng）度。在進行粗細磨工序前，應先將R一140 mm麵半（bàn）徑加工好，加工時中心磨到即可。盡量少去厚度或不去厚度，而且要注意偏心（xīn），偏心量大致不應超過0．20～o．30 mm。

拋光對零件表麵光潔度的影響

ZnSe晶（jīng）體的拋光是機械、物理和化學作用的共同結果。在拋光過程中，拋光劑具有2種作用，即（jí）機械作用與膠體化學作用，這2種作用是同時出現的。在拋光的初（chū）始階（jiē）段，是拋光劑去除表麵凹凸層的過程，因而呈現出新的拋光麵，這（zhè）時主（zhǔ）要是靠機械作（zuò）用。但呈現出新的拋光麵以後，拋（pāo）光劑顆粒開始與材料表麵（miàn）進行分子接觸，由（yóu）於拋光劑具有一定的化學活性，即具有（yǒu）強烈的晶格缺陷(實（shí）踐證明（míng），具有晶格缺陷的拋（pāo）光劑的（de）拋光效率是比較高的（de）)，晶（jīng）格缺陷處的各質點的結合能量比較大（dà），易於通過化學吸附作用把（bǎ）材料表麵分（fèn）子吸附出來，在拋光（guāng）劑與材料表麵分子接觸中材料即被拋光。

加工過程中需（xū）要注意的問題

嚴格說來，晶（jīng）體加工是一種（zhǒng）有害作業，因此，應該重（chóng）視加工者的（de）健康防護問（wèn）題。防護上大體可以采（cǎi）

取以下措施：

(1)有毒晶體（tǐ）的加工應集中在有良好（hǎo）通風排毒設備的（de）專（zhuān）門房間裏，機床工作台應有防護罩和排風扇。

(2)為了減少或消（xiāo）除毒（dú）物對人體的傷害，工作之後必須認真洗手，用刷子將雙手（shǒu）仔細擦洗幹淨。

(3)嚴禁在有毒的工（gōng）作間內吸煙、進食，要定時呼（hū）吸新鮮空氣。

加工中采用雙氧水溶劑浸泡Al。O。拋光劑，軟化了AlzO。磨料，大大提高了拋光零件的表麵質量，取得了較為理想的效果。同時，為整盤等厚加工設（shè）計製作（zuò）的工具既簡單可靠，又保證了（le）零件的精度。