紫外曝光機，也稱光刻機、掩模（mó）對準曝光機、曝光係統、光刻（kè）係統等，是印刷（shuā）線路板（PCB）製作工（gōng）藝中的（de）重（chóng）要設備。
一般的光刻工藝要經曆矽片表麵清洗烘幹、塗底、旋塗光刻膠、軟烘（hōng）、對準曝光、後烘、顯（xiǎn）影、硬烘、刻蝕等工（gōng）序（xù）。
其（qí）主要性能指標有（yǒu）：支持基片的尺寸範（fàn）圍，分辨率、對準精度（dù）、曝光（guāng）方式、光源波長、光強均勻性（xìng）、生產效率等。
紫外曝光機鏡（jìng）片 係統組成及其工作原理：
傳統曝光（guāng）機光學係統主要由光源（高壓球形汞燈）、橢球麵反光杯、冷光鏡、透射式複眼光（guāng）學透鏡陣列、二向色鏡和球麵平行（háng）光反射鏡組成。
其中，光刻機內部的反射鏡會積聚來自 EUV 光源的錫碎屑。光源發出的光被橢球麵反光杯聚焦後（hòu），經冷（lěng）光鏡反射到複（fù）眼透鏡（jìng）陣列場鏡，從投影鏡出射的光到達二向色鏡，
光譜中的紫外部分被50%透射（shè），50%反射後，到達兩塊對稱分布的大（dà）麵積球麵平行反光鏡，被準直反（fǎn）射到曬板上對PCB板進行曝光。
“EUV光刻機的光源是極紫外光，所以其實際（jì）上叫做極紫外線（xiàn）光刻機（jī）。而蔡定平教授團隊研發的新型真（zhēn）空紫外非線性超構（gòu）透鏡，能夠產生和聚焦極紫外光，並能夠（gòu）將波（bō）長395nm轉化（huà）為197nm 。聚焦光點的功（gōng）率密度比超（chāo）構透鏡高了21倍。”
據悉，這一突（tū）破能夠應用於EUV光刻機之中，幫助國產光刻機突破技（jì）術瓶頸。並且，這一技術還屬於EUV光刻機的核心技術，對實現EUV光刻機自主有重大意義。
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紫外曝光機、光刻機會使用到的光學元件包含：光學透（tòu）鏡、光學棱鏡、TIR棱鏡、光棒、濾光片、衰減片、反射鏡（jìng）。
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